В соответствии с этим постановлением по рекомендации А. А. Расплетина приказом по ГКРЭ главным конструктором ОКР был назначен начальник отдела КБ-1 И. А. Барканов.

В результате выполнения НИР «Модуль-1» были разработаны 104 типа микромодулей, позволяющих конструировать на их основе различные радиоэлектронные устройства военного назначения.

Модульное исполнение РЭА в КБ-1 нашло применение только в бортовой аппаратуре, где разработчики КБ-1 были соисполнителями. Что касается разработчиков наземной аппаратуры, то микромодули применения не нашли, так как значительно ограничивали их творческие возможности.

Работы по микромодулям в СССР в 1960-е годы были весьма востребованными. Это был первый этап работ по микроминиатюризации радиоаппаратуры и являлся интересной страницей в развитии технологической базы КБ-1 и микроминиатюризации РЭА в стране. Опыт разработки и применения микромодулей нашел отражение в достаточно большом числе публикаций.

Еще более впечатляющие результаты были получены в области миниатюризации РЭА в КБ-1 на базе гибридных и твердотельных схем. Эти работы находились под пристальным вниманием А. А. Расплетина.

Расплетин освободил Колосова от рутинной работы по НИР «Блок» (по выдаче ТЗ на микромодули), передав эти функции начальнику отдела КБ-1 Н. А. Барканову, рекомендовал все усилия направить на работы по микроэлектронике, дав ему большие полномочия и неограниченные финансовые ресурсы. Поскольку работы по микроэлектронике проводились в инициативном плане, только на кафедрах вузов и университетов страны, Расплетин предложил Колосову установить контакты с вузовскими учеными и заключить с ними финансовые договора. Это был очень важный шаг, позволивший резко продвинуться в решении ряда принципиальных вопросов создания микроэлектронных схем. Наибольший вклад в выполнение этих работ внес Таганрогский радиотехнический институт (ТРТИ), где под руководством профессоров В. Г. Дудко и Л. Н. Колесова были получены обнадеживающие результаты по созданию твердых схем и начата подготовка молодых специалистов по микроэлектронике. Серьезные исследования велись в ГГУ по пассивным тонкопленочным компонентам — резисторам и конденсаторам. В Томском государственном университете (ТГУ) проводились исследования арсенида галлия и возможности создания на его основе полупроводниковых диодов. Интересные работы велись в Бийске группой молодых физиков — выпускников ТГУ (И. Н Важенин, Д. Т. Колесников, В. Ф. Зорин, Г. А. Блинов, П. Е. Кандыба). Эта группа разрабатывала твердые схемы на основе МОП-транзисторов. Усилиями этой группы были заложены основы технологии создания пассивных компонентов гибридных схем. В Новосибирске под руководством профессора Э. Евреинова в Институте математики Сибирского отделения АН СССР велись исследования по пленочной технологии. В КБ-1 на очень хорошем уровне велись работы по разработке толстопленочной технологии создания пассивных компонентов ЕИС (А. К. Катман).

Роль вузов и университетов в начальный период зарождения микроэлектроники в СССР трудно переоценить, так как в них, по существу, готовились инженерные и научные кадры для микроэлектроники — научно-техническая интеллигенция новой отрасли, ее интеллектуальный потенциал.

Особую роль в начальный период зарождения микроэлектроники в СССР имели исследования и разработки, проводимые в Ленинграде под руководством Ф. Е Староса и И. В. Берга в возглавляемом им КБ-2. Оба они — эмигранты из США. История их появления в СССР описана в романе Д. Еранина «Бегство в Россию».

Хорошей базой для нарождающейся микроэлектроники были отраслевые полупроводниковые НИИ: НИИ-35 (Пульсар) и НИИ-311 (Сапфир), а также Томилинский электровакуумный завод (ТЭЗ), изготавливающий полупроводниковые диоды.

Но эти предприятия скорее были исключением, чем правилом в решении проблемы микроэлектроники. Колосов с одним из руководителей КБ-1 (это был заместитель главного инженера И. И. Аухтун) объездили основные московские институты подобного профиля. Колосов на встречах делал доклад «Что такое микроэлектроника и почему вашим НИИ надо ею заниматься?» Но отношение к новой работе было в основном негативным.

Видя, что личными уговорами ничего не добьешься, Расплетин и Колосов решили обратиться к заместителю министра электронной промышленности К. И. Мартюшову с предложением организовать в Ленинграде Первую Всесоюзную конференцию по микроэлектронике. Предполагалось собрать на конференцию всех руководителей зарождавшейся новой электронной промышленности страны. Колосов сделал вводный доклад, Ф. Старое — доклад о системах памяти, вел конференцию Мартюшов. Затем руководителей предприятия пригласили к А. И. Шокину, где обсудили необходимость создания единого центра по микроэлектронике. Разработанные предложения о создании центра были доложены А. И Шокиным В. М. Рябикову и Д. Ф. Устинову и представлены высшему руководству страны.

8 августа 1962 года вышло постановление ЦК КПСС и СМ СССР о создании в Зеленограде Научного цента микроэлектроники, а в октябре 1962 года А. И. Шокин провел первое большое отраслевое совещание конструкторов — разработчиков полупроводниковых приборов, на котором выступил с докладом.

С этих работ начался новый этап творческих контактов и совместных исследований разработчиков РЭА и создателей новых изделий молекулярной электроники.

А. А. Расплетин активно поддерживал создание научного центра микроэлектроники в Зеленограде. Одним из первых научно-исследовательских институтов научного центра был НИИмикроприборов, где А. А. Расплетин стал членом диссертационного совета.

Как вспоминал первый директор НИИМП И. Н. Букреев:

А. А. Расплетин был одним из самых активных членов диссертационного совета. На заседания совета он приезжал заранее и занимался изучением диссертационной работы, а бывая у руководства НЦ, вникал во все тонкости и трудности создания электронного центра.

К 1964 году конфликт между возрастающими тактико-техническими требованиями к радиоэлектронным системам различного назначения и ее комплектующим изделиям стал особенно заметен.

Справедливости ради, следует отметить, что в таком уважаемом среди специалистов энциклопедическом словаре «Электроника» в статье «Микромодули» было написано:

Микромодули не получили распространения из-за низкой технологичности и сравнительно невысокой надежности и в конце 1960-х гг. были вытеснены интегральными схемами. Даже планарные транзисторы не решали проблем. Но они дали мощный толчок к появлению нового технологического направления — формированию множества планарных элементов на одном, небольшом по размеру полупроводниковом кремниевом кристалле. Появились первые твердотельные интегральные полупроводниковые схемы (ИПС) — логические специальные схемы общего применения «Изумруд ТТЛ», «Логика-2», «Индекс» и специальные схемы: «Инструмент МУ, УИ, ЭК», «Исполин-2», «Ишим» и «Микроватт».

На базе этих схем в КБ-1 были разработаны типовые цифровые ячейки, на четырехслойных печатных платах размером 176x75 миллиметров с количеством микросхем на плате (с двух сторон) — 66.

Вскоре появились гибридно-пленочные схемы общего применения «Терек-2» с числом элементов в схеме 13 и «Посол» с числом элементов 16.